數(shù)字式四探針測(cè)試儀
型號(hào):SZT-2000
儀器資料:
SZT-2000型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)
試原理研究成功的多用途的綜合測(cè)量裝置,它可以
測(cè)量棒狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散
層的薄層電阻進(jìn)行測(cè)量,可以從10-6--105Ω—cm全
量程范圍檢測(cè)硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電
阻,是硅材料質(zhì)量監(jiān)測(cè)的必需儀器。
儀器為臺(tái)式結(jié)構(gòu),分為電氣箱、測(cè)試架兩大部分,
用戶可以根據(jù)測(cè)試需要安放在一般工作臺(tái)或者
工作臺(tái)上,測(cè)試架由探頭及壓力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、樣品架
組成,耐磨和使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧
壓力裝置,壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào),測(cè)試架設(shè)有手
動(dòng)和電動(dòng)兩種裝置供用戶選購(gòu)。
儀器電氣箱主要由高靈敏的直流數(shù)字電壓表和高穩(wěn)
定的恒流源組成,測(cè)量結(jié)果由數(shù)字直接顯示,儀器
有自校量程,可以方便地對(duì)儀器的電氣性能進(jìn)行校
驗(yàn)。
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、測(cè)量
范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn),儀器適用于
半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究部門、高等院
校,對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試及工藝檢測(cè)。
儀器主要技術(shù)指標(biāo):
1.范圍:電阻率10-4—103Ω—cm,可擴(kuò)展至105
Ω—cm,分辯率為10-6Ω—cm
方塊電阻10-3—103Ω/□
電阻10-6—105Ω
2.可測(cè)半導(dǎo)體尺寸:直徑Φ15—150mm
3.測(cè)量方式:軸向、斷面均可(手動(dòng)測(cè)試架)
4.?dāng)?shù)字電壓表(1)量程0.2mV、2mV、20mV、
200mV、2V
(2)測(cè)量*.2mV檔±(0.3%讀數(shù)+8字)
2mV檔以上±(0.3%讀數(shù)+2字)
(3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω
20mV檔以上>108Ω
(4)顯示31/2位數(shù)字顯示,0—1999
具有極性和過(guò)載自動(dòng)顯示,小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示
5.恒流源:(1)電流輸出:直流電流0—100mA
連續(xù)可調(diào),由交流電源供給
(2)量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
五檔
(3)電流誤差:±(0.3%讀數(shù)+2字)
6.四探針測(cè)試探頭(1)探頭間距:1mm(2)
探針機(jī)械游率:±0.3%
(3)探針:Φ0.5mm(4)壓
力:可調(diào)
7.測(cè)試架:
(1)手動(dòng)測(cè)試架:探頭上升及下降由手動(dòng)操
作,可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測(cè)試。
(2)電動(dòng)測(cè)試架:探頭的上升和下降由電動(dòng)操
作,設(shè)有自動(dòng)控制器控制,探頭上升時(shí)間1S—99S
可調(diào),探頭下降時(shí)間1S—99S可調(diào),壓力恒定可調(diào)
(由砝碼來(lái)設(shè)定)同時(shí)設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開(kāi)
關(guān)控制探頭上下運(yùn)動(dòng)。
8.電流:220V±10%50HZ或60HZ:功率消耗
<35W
9.外形尺寸:電氣箱130×110×400mm